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MOSFETs 晶体管阵列 / NP29N04QUK-E1-AY
- 价格 起订量
- ￥ 15.34376 1+
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- ￥ 13.65589 100+
- ￥ 12.88292 500+
- ￥ 12.15370 1000+
- 型号： NP29N04QUK-E1-AY
- 厂商： Renesas Electronics America Inc
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerLDFN
- 描述： ABU / MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 2789
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.34376
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerLDFN
- 供应商器件包装：8-HSON (5x5.4)
- 厂商：Renesas Electronics America Inc
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：44 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：19 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：10.1 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：30 A
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 操作温度：175°C
- 技术：Si
- 通道数量：1 Channel
- 功率 - 最大：1W (Ta), 44W (Tc)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10.1mOhm @ 15A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1500pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 场效应管特性：Standard
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