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单相BJT晶体管 / JANTX2N918UB/TR
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: JANTX2N918UB/TR
- 厂商: Microchip Technology
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: 4-SMD, No Lead
- 描述: TRANS NPN 15V 0.05A UB
- 库存地点: 内地
- 库存: 24
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:4-SMD, No Lead
- 供应商器件包装:UB
- 厂商:微芯片技术
- Package:Tape & Reel (TR)
- Product Status:活跃
- Current-Collector (Ic) (Max):50 mA
- Emitter- Base Voltage VEBO:3 V
- Pd - Power Dissipation:200 mW
- Transistor Polarity:NPN
- Maximum Operating Temperature:+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min:10 at 500 uA, 10 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
- Minimum Operating Temperature:- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Mounting Styles:SMD/SMT
- Manufacturer:Microchip
- Brand:Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current:50 mA
- DC Current Gain hFE Max:200 at 3 mA, 1 V
- RoHS:N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max:15 V
- 系列:Military, MIL-PRF-19500/301
- 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
- 子类别:Transistors
- 技术:Si
- 配置:Single
- 功率 - 最大:200 mW
- 产品类别:BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型:NPN
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:20 @ 3mA, 1V
- 最大集极截止电流:1μA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):400mV @ 1mA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
- 频率转换:-
- 集电极基极电压(VCBO):30 V
- 产品类别:Bipolar Transistors - BJT
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