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BJT 晶体管阵列 / 2N3838/TR
- 价格 起订量
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- 型号： 2N3838/TR
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-FlatPack
- 描述： TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 31
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-FlatPack
- 供应商器件包装：6-Flatpack
- 厂商：微芯片技术
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：600mA
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：350 mW
- Transistor Polarity：NPN, PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：35 at 100 uA, 10 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Maximum DC Collector Current：600 mA
- DC Current Gain hFE Max：300 at 150 mA, 10 V
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：40 V
- 系列：-
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 包装：Reel
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：350mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：10μA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 15mA, 150mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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