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内存模块 / MT4HTF3264HZ-667G1
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
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- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MT4HTF3264HZ-667G1
- 厂商: Micron Technology Inc.
- 类别: 内存模块
- 封装: 200-SODIMM
- 描述: DRAM Module DDR2 SDRAM 256Mbyte 200SODIMM
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:Socket
- 包装/外壳:200-SODIMM
- 引脚数:200
- Memory Types:DDR2 SDRAM
- Number of Elements:4
- 已出版:2010
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:200
- 端子表面处理:哑光锡
- 最高工作温度:70°C
- 最小工作温度:0°C
- 端子位置:DUAL
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 电源电压:1.8V
- 端子间距:0.6mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
- 工作电源电压:1.8V
- 温度等级:COMMERCIAL
- 最大电源电压:1.9V
- 最小电源电压:1.7V
- 内存大小:256MB
- 速度:667MT/s
- 时钟频率:333MHz
- 数据总线宽度:64b
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:64
- 待机电流-最大值:0.028A
- 最高频率:667MHz
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:8192
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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