首页 集成电路IC 存储器 GS8161E18DGD-400I
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存储器 / GS8161E18DGD-400I

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: GS8161E18DGD-400I
  • 厂商: GSI Technology
  • 类别: 存储器
  • 封装: BGA-165
  • 描述: Cache SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 34
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:10 Weeks
  • 包装/外壳:BGA-165
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:165
  • Maximum Clock Rate:250@Flow-Through/400@Pipelined MHz
  • Supplier Package:FBGA
  • Data Rate Architecture:SDR
  • Typical Operating Supply Voltage:2.5, 3.3 V
  • Minimum Operating Supply Voltage:2.3, 3 V
  • Mounting:表面贴装
  • Maximum Operating Supply Voltage:2.7, 3.6 V
  • Number of I/O Lines:18 Bit
  • Number of Words:1 MWords
  • Timing Type:Synchronous
  • Maximum Clock Frequency:400 MHz
  • Maximum Operating Temperature:+ 85 C
  • Supply Voltage-Max:3.6 V
  • Minimum Operating Temperature:- 40 C
  • Supply Voltage-Min:2.3 V
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Interface Type:Parallel
  • Package Description:LBGA,
  • Package Style:GRID ARRAY, LOW PROFILE
  • Number of Words Code:1000000
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Operating Temperature-Min:-40 °C
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Access Time-Max:4 ns
  • Operating Temperature-Max:85 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:GS8161E18DGD-400I
  • Supply Voltage-Nom (Vsup):2.5 V
  • Package Code:LBGA
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:GSI技术
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:GSI TECHNOLOGY
  • Risk Rank:5.29
  • Part Package Code:BGA
  • Usage Level:Industrial grade
  • 操作温度:-40 to 85 °C
  • ECCN 代码:3A991.B.2.B
  • 附加功能:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
  • HTS代码:8542.32.00.41
  • 技术:CMOS
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:BALL
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • 功能数量:1
  • 端子间距:1 mm
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:165
  • JESD-30代码:R-PBGA-B165
  • 资历状况:不合格
  • 电源电压-最大值(Vsup):2.7 V
  • 温度等级:INDUSTRIAL
  • 电源电压-最小值(Vsup):2.3 V
  • 内存大小:18 Mbit
  • 端口的数量:2
  • 操作模式:SYNCHRONOUS
  • 电源电流-最大值:275 mA, 355 mA
  • 访问时间:4 ns
  • 建筑学:Flow-Through/Pipelined
  • 组织结构:1 M x 18
  • 座位高度-最大:1.4 mm
  • 内存宽度:18
  • 地址总线宽度:20 Bit
  • 密度:18 Mbit
  • 记忆密度:18874368 bit
  • 筛选水平:Industrial
  • 并行/串行:PARALLEL
  • 内存IC类型:缓存SRAM
  • 宽度:13 mm
  • 长度:15 mm

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