简体中文
图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / 2SD1981-AE
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 2SD1981-AE
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： 2000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：2SD1981-AE
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：安森美半导体
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：生命周期结束
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.52
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：O-PBCY-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- JEDEC-95代码：TO-226
- 集电极电流-最大值(IC)：2 A
- 最小直流增益（hFE）：1000
- 集电极-发射器电压-最大值：80 V
相关产品
