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分立半导体 / NTE154
- 价格 起订量
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- 型号： NTE154
- 厂商： NTE Electronics, Inc.
- 类别： 分立半导体
- 封装： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 描述： Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-39
- 质量：7.257478 g
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：NTE154
- Manufacturer：NTE Electronics
- MSL：-
- Qualification：-
- Transistor Polarity：NPN
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：300 V
- Voltage Rating (DC)：300 V
- RoHS：Compliant
- Package：Bag
- 厂商：NTE Electronics, Inc
- Product Status：活跃
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：50 MHz
- Package Shape：ROUND
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：NTE ELECTRONICS INC
- Risk Rank：2.15
- 操作温度：200°C
- 系列：-
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.29.00.75
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：1 W
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：1W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1 W
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：300 V
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 30mA, 20V
- 最大集极截止电流：100nA (ICBO)
- JEDEC-95代码：TO-39
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 2mA, 20mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V
- 转换频率：50MHz
- 频率转换：50MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：300 V
- 最大耗散功率(Abs)：7 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：7 V
- 集电极电流-最大值(IC)：0.2 A
- 最小直流增益（hFE）：20
- 连续集电极电流：200mA
- 集电极-发射器电压-最大值：300 V
- 集电极-基极电容-最大值：2.5 pF
- 宽度：76.2 mm
- 高度：6.604 mm
- 长度：152.4 mm
- 直径：9.39 mm
- 达到SVHC：无SVHC
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