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分立半导体 / BCX5616E6327

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  • 型号: BCX5616E6327
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: 分立半导体
  • 封装:
  • 描述: Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 973
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
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付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:4
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:80 V
  • hFEMin:25
  • Voltage Rating (DC):80 V
  • RoHS:Compliant
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
  • Package Style:小概要
  • Moisture Sensitivity Levels:1
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):40
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Transition Frequency-Nom (fT):100 MHz
  • Manufacturer Part Number:BCX56-16E6327
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Infineon Technologies AG
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:5.17
  • 包装:Cut Tape (CT)
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 最高工作温度:150 °C
  • 最小工作温度:-65 °C
  • 子类别:其他晶体管
  • 最大功率耗散:2 W
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:FLAT
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • Reach合规守则:compliant
  • 额定电流:1 A
  • JESD-30代码:R-PSSO-F3
  • 资历状况:不合格
  • 极性:NPN
  • 配置:SINGLE
  • 电压:80 V
  • 元素配置:Single
  • 电流:1 A
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 增益带宽积:100 MHz
  • 极性/通道类型:NPN
  • 集电极发射器电压(VCEO):80 V
  • 最大集电极电流:1 A
  • 转换频率:100 MHz
  • 最大击穿电压:80 V
  • 集电极基极电压(VCBO):100 V
  • 最大耗散功率(Abs):1 W
  • 发射极基极电压 (VEBO):5 V
  • 集电极电流-最大值(IC):1 A
  • 最小直流增益(hFE):100
  • 集电极-发射器电压-最大值:80 V
  • 无铅:无铅

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