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分立半导体 / BCX5616E6327
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: BCX5616E6327
- 厂商: Infineon(英飞凌)
- 类别: 分立半导体
- 封装:
- 描述: Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
- 库存地点: 内地
- 库存: 973
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 表面安装:YES
- 引脚数:4
- 终端数量:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:80 V
- hFEMin:25
- Voltage Rating (DC):80 V
- RoHS:Compliant
- Package Description:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Package Style:小概要
- Moisture Sensitivity Levels:1
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s):40
- Operating Temperature-Max:150 °C
- Rohs Code:有
- Transition Frequency-Nom (fT):100 MHz
- Manufacturer Part Number:BCX56-16E6327
- Package Shape:RECTANGULAR
- Manufacturer:Infineon Technologies AG
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank:5.17
- 包装:Cut Tape (CT)
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:有
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 最高工作温度:150 °C
- 最小工作温度:-65 °C
- 子类别:其他晶体管
- 最大功率耗散:2 W
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- Reach合规守则:compliant
- 额定电流:1 A
- JESD-30代码:R-PSSO-F3
- 资历状况:不合格
- 极性:NPN
- 配置:SINGLE
- 电压:80 V
- 元素配置:Single
- 电流:1 A
- 箱体转运:COLLECTOR
- 晶体管应用:SWITCHING
- 增益带宽积:100 MHz
- 极性/通道类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):80 V
- 最大集电极电流:1 A
- 转换频率:100 MHz
- 最大击穿电压:80 V
- 集电极基极电压(VCBO):100 V
- 最大耗散功率(Abs):1 W
- 发射极基极电压 (VEBO):5 V
- 集电极电流-最大值(IC):1 A
- 最小直流增益(hFE):100
- 集电极-发射器电压-最大值:80 V
- 无铅:无铅
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