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分立半导体 / BD237
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付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
- hFEMin：40
- Manufacturer Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
- RoHS：Compliant
- Package Description：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Transition Frequency-Nom (fT)：3 MHz
- Manufacturer Part Number：BD237
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Samacsys Description：BD237, NPN Bipolar Transistor, 2 A 80 V HFE:25 3 MHz Power, 3-Pin SOT-32
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Risk Rank：0.73
- Part Package Code：SIP
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：25 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：2 A
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- Brand Name：STMicroelectronics
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：3 MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80 V
- 最大集电极电流：2 A
- JEDEC-95代码：TO-126
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 最大耗散功率(Abs)：25 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：2 A
- 最小直流增益（hFE）：25
- 集电极-发射器电压-最大值：80 V
- VCEsat-最大值：0.6 V
- 环境耗散-最大值：25 W
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