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分立半导体 / NJVMJD42CT4G
- 价格 起订量
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- 型号： NJVMJD42CT4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 分立半导体
- 封装： DPAK-3
- 描述： 6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 包装/外壳：DPAK-3
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：DPAK
- Transistor Polarity：NPN
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100 V
- hFEMin：30
- Number of Elements：1
- Manufacturer Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- RoHS：Compliant
- Qualification：AEC-Q101
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：1.75 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：30
- Unit Weight：0.012346 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：3 MHz
- Part # Aliases：NJVMJD42CT4G-VF01
- Manufacturer：onsemi
- Brand：onsemi
- Maximum DC Collector Current：6 A
- DC Current Gain hFE Max：30 at 300 mA, 4 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：100 V
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current-Collector (Ic) (Max)：6 A
- Base Product Number：NJVMJD42
- 厂商：onsemi
- Product Status：活跃
- Package Description：,
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Manufacturer Package Code：369C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Transition Frequency-Nom (fT)：3 MHz
- Manufacturer Part Number：NJVMJD42CT4G
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：0.84
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MJD42C
- 操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：1.75 W
- 技术：Si
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：3 MHz
- 引脚数量：3
- Brand Name：安森美半导体
- 极性：PNP
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 功率耗散：15
- 功率 - 最大：1.75 W
- 增益带宽积：3 MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：100 V
- 最大集电极电流：6 A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 300mA, 4V
- 最大集极截止电流：50µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 600mA, 6A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V
- 最高频率：1 MHz
- 转换频率：3
- 最大击穿电压：100 V
- 频率转换：3MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 最大耗散功率(Abs)：20 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：6 A
- 最小直流增益（hFE）：15
- 连续集电极电流：3
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 宽度：6.22 mm
- 高度：2.38 mm
- 长度：6.73 mm
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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