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图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / FGPF4536
- 价格 起订量
- ￥ 7.62724 1+
- ￥ 7.19551 10+
- ￥ 6.78821 100+
- ￥ 6.40398 500+
- ￥ 6.04149 1000+
- 型号： FGPF4536
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 360V V(BR)CES, N-Channel
- 库存地点： 内地
- 库存： 104392
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.62724
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Turn-on Time-Nom (ton)：25.6 ns
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Turn-off Time-Nom (toff)：292 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：FGPF4536
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：安森美半导体
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.2
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 最大耗散功率(Abs)：28.4 W
- 集电极-发射器电压-最大值：360 V
- 栅极-发射极电压-最大值：30 V
- VCEsat-最大值：1.8 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：4 V
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