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存储器 / 71V416YS10PHG
- 价格 起订量
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- 型号： 71V416YS10PHG
- 厂商： Integrated Device Technology (IDT)
- 类别： 存储器
- 封装： TSOP
- 描述： SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TSOP
- 引脚数：44
- Memory Types：RAM, SRAM - Asynchronous
- 包装：Bulk
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：44
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 最高工作温度：70°C
- 最小工作温度：0°C
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.8mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 工作电源电压：3.3V
- 温度等级：COMMERCIAL
- 界面：Parallel
- 最大电源电压：3.6V
- 最小电源电压：3V
- 端口的数量：1
- 电源电流：200mA
- 访问时间：10 ns
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 地址总线宽度：18b
- 密度：4 Mb
- 待机电流-最大值：0.02A
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：3V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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