简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / R1RW0416DSB-2PR#D1
- 价格 起订量
- ￥ 36.60009 1+
- ￥ 34.52838 10+
- ￥ 32.57395 100+
- ￥ 30.73014 500+
- ￥ 28.99070 1000+
- 型号： R1RW0416DSB-2PR#D1
- 厂商： Renesas Electronics America
- 类别： 存储器
- 封装： 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述： IC SRAM IBIS ASYNC
- 库存地点： 内地
- 库存： 81
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 36.60009
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 表面安装：YES
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Commercial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：44
- 电压 - 供电 ：3V~3.6V
- 端子位置：DUAL
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.8mm
- 引脚数量：44
- JESD-30代码：R-PDSO-G44
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup)：3V
- 内存大小：4Mb 256K x 16
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：256KX16
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：12ns
- 记忆密度：4194304 bit
- 访问时间（最大）：12 ns
- 长度：18.41mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 宽度：10.16mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
