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存储器 / MT40A2G4WE-075E:B
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MT40A2G4WE-075E:B
- 厂商: Micron Technology Inc.
- 类别: 存储器
- 封装: 78-TFBGA
- 描述: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
- 库存地点: 内地
- 库存: 2000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:4 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:78-TFBGA
- 表面安装:YES
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:0°C~95°C TC
- 包装:Tray
- 零件状态:Obsolete
- 终止次数:78
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- 电压 - 供电 :1.14V~1.26V
- 端子位置:BOTTOM
- 功能数量:1
- 电源电压:1.2V
- 端子间距:0.8mm
- Reach合规守则:compliant
- JESD-30代码:R-PBGA-B78
- 电源电压-最大值(Vsup):1.26V
- 电源电压-最小值(Vsup):1.14V
- 内存大小:8Gb 2G x 4
- 端口的数量:1
- 操作模式:SYNCHRONOUS
- 时钟频率:1.33GHz
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 组织结构:2GX4
- 内存宽度:4
- 记忆密度:8589934592 bit
- 访问模式:多库页面突发
- 长度:12mm
- 座位高度(最大):1.2mm
- 宽度:8mm
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