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存储器 / MT46H16M16LFBF-6 AT:H
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MT46H16M16LFBF-6 AT:H
- 厂商: Micron Technology Inc.
- 类别: 存储器
- 封装: 60-VFBGA
- 描述: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:60-VFBGA
- 表面安装:YES
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:-40°C~105°C TA
- 包装:Tray
- 已出版:2008
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:60
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码:8542.32.00.24
- 电压 - 供电 :1.7V~1.95V
- 端子位置:BOTTOM
- 功能数量:1
- 电源电压:1.8V
- 端子间距:0.8mm
- 基本部件号:MT46H16M16
- 引脚数量:60
- JESD-30代码:R-PBGA-B60
- 资历状况:不合格
- 电源电压-最大值(Vsup):1.95V
- 电源:1.8V
- 电源电压-最小值(Vsup):1.7V
- 内存大小:256Mb 16M x 16
- 端口的数量:1
- 操作模式:SYNCHRONOUS
- 时钟频率:166MHz
- 访问时间:5ns
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 组织结构:16MX16
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:16
- 写入周期时间 - 字符、页面:12ns
- 待机电流-最大值:0.00001A
- 记忆密度:268435456 bit
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:8192
- 顺序突发长度:24816
- 交错突发长度:24816
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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