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存储器 / 6116SA55DB
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 6116SA55DB
- 厂商: Integrated Device Technology (IDT)
- 类别: 存储器
- 封装: CDIP
- 描述: SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 包装/外壳:CDIP
- 表面安装:NO
- 引脚数:24
- Memory Types:RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
- Usage Level:Military grade
- 包装:Bulk
- 已出版:2013
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:no
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:24
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn63Pb37)
- 最高工作温度:125°C
- 最小工作温度:-55°C
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):240
- 功能数量:1
- 电源电压:5V
- 端子间距:2.54mm
- 引脚数量:24
- 工作电源电压:5V
- 电源:5V
- 温度等级:MILITARY
- 界面:Parallel
- 最大电源电压:5.5V
- 最小电源电压:4.5V
- 内存大小:2kB
- 端口的数量:1
- 访问时间:55 ns
- 组织结构:2KX8
- 输出特性:3-STATE
- 地址总线宽度:11b
- 密度:16 kb
- 筛选水平:MIL-STD-883 Class B
- I/O类型:COMMON
- 长度:32mm
- 座位高度(最大):4.826mm
- 宽度:15.24mm
- 器件厚度:2.9mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:含铅
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