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存储器 / CY7C1361B-100BGC
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: CY7C1361B-100BGC
- 厂商: Cypress Semiconductor Corp
- 类别: 存储器
- 封装: 119-BGA
- 描述: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 374
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:119-BGA
- 表面安装:YES
- 引脚数:119
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:0°C~70°C TA
- 包装:Tray
- 已出版:2003
- JESD-609代码:e0
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:119
- 端子表面处理:锡铅
- 附加功能:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- 电压 - 供电 :3.135V~3.6V
- 端子位置:BOTTOM
- 峰值回流焊温度(摄氏度):220
- 功能数量:1
- 电源电压:3.3V
- Reach合规守则:not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:CY7C1361
- 引脚数量:119
- 资历状况:不合格
- 工作电源电压:3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup):3.63V
- 内存大小:9Mb 256K x 36
- 端口的数量:1
- 时钟频率:100MHz
- 访问时间:8.5ns
- 内存格式:SRAM
- 内存接口:Parallel
- 组织结构:256KX36
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:36
- 地址总线宽度:18b
- 密度:9 Mb
- 待机电流-最大值:0.03A
- I/O类型:COMMON
- 长度:22mm
- 座位高度(最大):2.4mm
- RoHS状态:Non-RoHS Compliant
- 无铅:含铅
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