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单相BJT晶体管 / 2N3467

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
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  • 型号: 2N3467
  • 厂商: Central Semiconductor
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-39
  • 描述: Bipolar Transistors - BJT PNP Core Driver
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:8 Weeks
  • 底架:通孔
  • 包装/外壳:TO-39
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):175MHz
  • Number of Elements:1
  • Operating Temperature (Max.):200°C
  • Power Dissipation (Max):1W
  • hFEMin:40
  • 包装:Bulk
  • 已出版:2002
  • JESD-609代码:e0
  • 无铅代码:no
  • 零件状态:活跃
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • HTS代码:8541.29.00.75
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:WIRE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
  • JESD-30代码:O-MBCY-W3
  • 资历状况:不合格
  • 极性:PNP
  • 元素配置:Single
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 集电极发射器电压(VCEO):1V
  • 最大集电极电流:1A
  • 转换频率:175MHz
  • 频率转换:175MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):40V
  • 发射极基极电压 (VEBO):5V
  • 最小直流增益(hFE):40
  • 连续集电极电流:450mA
  • 关断时间-最大值(toff):90ns
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅

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